高硅铝合金与铝碳化硅的区别

高硅铝合金是由硅和铝组成的二元合金.是一种主要用于航天航空、空间技术和便携式电子器件的合金材料。高硅铝合金密度在2.3~4.7 g/cm³之间,热膨胀系数(CTE)在7-20ppm/℃ 之间,提高硅含量可使合金材料的密度及热膨胀系数显著降低。同时,高硅铝合金还具有热导性能好,比强度和刚度较高,与金、银、铜、镍的镀覆性能好,与基材可焊,易于精密机加工等优越性能,是一种应用前景广阔的电子封装材料, 特别是在航天航空、空间技术和便携式电子器件等高技术领域。
铝碳化硅(AlSiC)是铝基碳化硅颗粒增强复合材料的简称,主要是指将铝与高体积分数的碳化硅复合成为低密度、高导热率和低膨胀系数的电子封装材料,它充分结合了碳化硅陶瓷和金属铝的不同优势,具有高导热性、与芯片相匹配的热膨胀系数、密度小、重量轻,以及高硬度和高抗弯强度,是电子元器件专用电子封装材料,满足了封装的轻便化、高密度化等要求,适用于航空、航天、高铁及微波等领域,以解决电子电路的热失效问题。

                                                       高硅铝合金AlSi VS 铝碳化硅AlSiC 比较

 
项目 高硅铝合金AlSi 铝碳化硅AlSiC
密度
热导率
热膨胀系数
可加工性 易机加工:CNC或者EDM。 难度大,普通刀具难以加工
成型性
制备工艺 技术成熟,可批量化生产 工艺复杂,较难批量化生产
可电镀性
可焊接性 易焊接:激光焊、电子束、MIG/TIG。 很难直接焊接,涂层易氧化